133
РАЗДЕЛ 1/
1.4
Сканирующий электронный микроскоп
TESCAN MIRA 3 XMU
НАЗНАЧЕНИЕ:
Изображение поверхности образцов при больших и сверхболь-
ших увеличениях и локальный анализ составов микрообъектов.
ОПИСАНИЕ:
Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) высокого разре-
шения с катодом с полевой эмиссией (типа Шоттки) в качестве источника
электронов.
ХАРАКТЕРИСТИКИ:
Пространственное разрешение:
1 нм
Ионная колонна:
нет
Увеличение:
от 1 крат до 1 000 000 крат
Ускоряющее напряжение:
0,2–30 нм
Ток пучка электронов:
2 пА — 200 нА
Максимальная ширина поля обзора:
90 мм
Ширина камеры образцов:
290 мм
Углы наклона столика образцов:
от -30° до +90°
Максимальная высота образца:
147 мм
Кол-во портов для доп.аксессуаров:
12
Сканирующий электронный микроскоп
TESCAN VEGA 3 LMU
НАЗНАЧЕНИЕ:
Изображение поверхности образцов при
больших увеличениях и локальный анализ составов
микрообъектов.
ОПИСАНИЕ:
Аналитический сканирующий электронный
микроскоп (СЭМ) с вольфрамовым катодом в качестве
источника электронов.
ХАРАКТЕРИСТИКИ:
Пространственное разрешение:
3 нм
Ионная колонна:
нет
Увеличение:
от 2 крат до 1 000 000 крат
Ускоряющее напряжение:
0,2–30 нм
Ток пучка электронов:
1 пА — 2 мкА
Максимальная ширина поля обзора:
60 мм
Ширина камеры образцов:
230 мм
Углы наклона столика образцов:
от -30° до +90°
Максимальная высота образца:
81 мм
Кол-во портов для дополнит. аксессуаров:
1
1.4
ООО «ТЕСКАН»
Алфавитный указатель — стр. 152
1.4
ООО «ТЕСКАН»
Алфавитный указатель — стр. 152
